NE85633-T1B-A Transistors RF bipolaires

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

NE85633-T1B-A

Transistors RF bipolaires

CEL (California Eastern Laboratories)

SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL

Bande et bobine (TR)

27000

prix:

$1.6200

Les stocks: 27000

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

3000

$1.6200

$4,860.0000

9000

$1.2600

$11,340.0000

15000

$1.0800

$16,200.0000

Obtenir des informations sur les offres

Produits Détails

NE85633-T1B-A

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

NE85633-T1B-A

Transistors RF bipolaires

CEL (California Eastern Laboratories)

SAME AS 2SC3356

Transistors RF bipolaires

Bande et bobine (TR)

27000

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	CEL (California Eastern Laboratories)
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	OBSOLETE
Colis/Caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montage	Surface Mount
Type de transistor	NPN
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Gagner	11.5dB
Puissance - Max	200mW
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)	12V
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 20mA, 10V
Fréquence - Transition	7GHz
Facteur de bruit (dB Typ @ f)	1.1dB @ 1GHz
Package d'appareil du fournisseur	3-MINIMOLD