NVBLS0D8N08XTXG FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

NVBLS0D8N08XTXG

FET simples, MOSFET

Sanyo Semiconductor/onsemi

T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

Bande et bobine (TR)

prix:

$3.3030

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

$6.2100

$5.3190

$53.1900

100

$4.4370

$443.7000

500

$3.9150

$1,957.5000

1000

$3.5190

$3,519.0000

2000

$3.3030

$6,606.0000

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Produits Détails

NVBLS0D8N08XTXG

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

NVBLS0D8N08XTXG

FET simples, MOSFET

Sanyo Semiconductor/onsemi

T10S 80V SG NCH

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Sanyo Semiconductor/onsemi
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-PowerSFN
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	457A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	0.79mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	325W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	3.6V @ 720µA
Package d'appareil du fournisseur	8-HPSOF
Grade	Automotive
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	174 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	12920 pF @ 40 V
Qualification	AEC-Q101