NXH003P120M3F2PTNG Matrices FET, MOSFET

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NXH003P120M3F2PTNG

Matrices FET, MOSFET

SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL

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Produits Détails

NXH003P120M3F2PTNG

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

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Spécifications Livre：

NXH003P120M3F2PTNG

Matrices FET, MOSFET

SILICON CARBIDE

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Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Sanyo Semiconductor/onsemi
Série	-
Emballer	Plateau
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	Module
Type de montage	Chassis Mount
Configuration	2 N-Channel (Half Bridge)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	Silicon Carbide (SiC)
Puissance - Max	1.48kW (Tj)
Tension drain-source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	435A (Tj)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	20889pF @ 800V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	5mOhm @ 200A, 18V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	1200nC @ 20V
Vgs(e) (Max) @ Id	4.4V @ 160mA
Package d'appareil du fournisseur	36-PIM (56.7x62.8)