NXH004P120M3F2PTNG Matrices FET, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

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NXH004P120M3F2PTNG

Matrices FET, MOSFET

SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL

Plateau

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$181.6560

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$181.6560

$3,633.1200

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Produits Détails

NXH004P120M3F2PTNG

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

NXH004P120M3F2PTNG

Matrices FET, MOSFET

SILICON CARBIDE

Matrices FET, MOSFET

Plateau

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Sanyo Semiconductor/onsemi
Série	-
Emballer	Plateau
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	Module
Type de montage	Chassis Mount
Configuration	2 N-Channel (Half Bridge)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	Silicon Carbide (SiC)
Puissance - Max	1.1kW (Tj)
Tension drain-source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	338A (Tj)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	16410pF @ 800V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 200A, 18V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	876nC @ 20V
Vgs(e) (Max) @ Id	4.4V @ 120mA
Package d'appareil du fournisseur	36-PIM (56.7x62.8)