NXH100T120L3Q0S1NG Modules IGBT

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

NXH100T120L3Q0S1NG

Modules IGBT

Sanyo Semiconductor/onsemi

1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLA

Plateau

prix:

$54.5130

Les stocks: 24

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

$54.5130

$49.5630

$1,189.5120

$47.9070

$2,299.5360

$44.6040

$4,281.9840

Obtenir des informations sur les offres

Produits Détails

NXH100T120L3Q0S1NG

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

NXH100T120L3Q0S1NG

Modules IGBT

Sanyo Semiconductor/onsemi

1200V GEN III Q

Modules IGBT

Plateau

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Sanyo Semiconductor/onsemi
Série	-
Emballer	Plateau
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	Module
Type de montage	Chassis Mount
Saisir	Standard
Configuration	Three Level Inverter
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 75A
Thermistance CTN	Yes
Package d'appareil du fournisseur	18-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	54 A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)	650 V
Puissance - Max	122 W
Courant - Coupure du collecteur (Max)	200 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	4877 pF @ 25 V