NXH240B120H3Q1PG-R Modules IGBT

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

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encapsulé：

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État de RoHS：

NXH240B120H3Q1PG-R

Modules IGBT

PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST

Plateau

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$129.0150

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Produits Détails

NXH240B120H3Q1PG-R

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

NXH240B120H3Q1PG-R

Modules IGBT

PIM Q1 3 CHANNE

Modules IGBT

Plateau

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Sanyo Semiconductor/onsemi
Série	-
Emballer	Plateau
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	Module
Type de montage	Chassis Mount
Saisir	Standard
Configuration	Three Level Inverter
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 80A
Thermistance CTN	Yes
Package d'appareil du fournisseur	32-PIM (71x37.4)
Type IGBT	Trench Field Stop
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	68 A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)	1200 V
Puissance - Max	158 W
Courant - Coupure du collecteur (Max)	400 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	18.151 nF @ 20 V