NXH80T120L3Q0P3G Modules IGBT

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

NXH80T120L3Q0P3G

Modules IGBT

PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80

Plateau

prix:

$58.7520

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Le prix total

$58.7520

$53.4150

$1,281.9600

$48.0690

$4,614.6240

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Produits Détails

NXH80T120L3Q0P3G

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

NXH80T120L3Q0P3G

Modules IGBT

PIM GENERATION3

Modules IGBT

Plateau

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Sanyo Semiconductor/onsemi
Série	-
Emballer	Plateau
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	Module
Type de montage	Chassis Mount
Saisir	Standard
Configuration	Three Level Inverter
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 80A
Thermistance CTN	Yes
Package d'appareil du fournisseur	20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Type IGBT	Trench Field Stop
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	75 A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)	1200 V
Puissance - Max	188 W
Courant - Coupure du collecteur (Max)	300 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	18150 pF @ 20 V