NXV08A170DB2 Matrices FET, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

NXV08A170DB2

Matrices FET, MOSFET

Sanyo Semiconductor/onsemi

APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF

Plateau

prix:

$11.8620

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

$17.1810

$15.7860

$157.8600

$15.1380

$378.4500

$12.6810

$1,014.4800

288

$11.8620

$3,416.2560

576

$11.0430

$6,360.7680

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Produits Détails

NXV08A170DB2

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

NXV08A170DB2

Matrices FET, MOSFET

Sanyo Semiconductor/onsemi

APM12-CBA, MV7

Matrices FET, MOSFET

Plateau

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Sanyo Semiconductor/onsemi
Série	-
Emballer	Plateau
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm)
Type de montage	Through Hole
Configuration	2 N-Channel (Half Bridge)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)	80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	200A (Tj)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	14000pF @ 40V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	195nC @ 10V
Vgs(e) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	APM12-CBA
Grade	Automotive
Qualification	AEC-Q100