PSMN1R9-40YSBX FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

PSMN1R9-40YSBX

FET simples, MOSFET

Nexperia

PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK

Bande et bobine (TR)

prix:

$0.5670

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

$1.2960

$1.0620

$10.6200

100

$0.8190

$81.9000

500

$0.6930

$346.5000

1500

$0.5670

$850.5000

3000

$0.5310

$1,593.0000

7500

$0.5130

$3,847.5000

10500

$0.4860

$5,103.0000

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Produits Détails

PSMN1R9-40YSBX

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

PSMN1R9-40YSBX

FET simples, MOSFET

Nexperia

PSMN1R9-40YSB/S

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Nexperia
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	SC-100, SOT-669
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	200A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 25A, 10V
Fonctionnalité FET	Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (maximum)	194W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	3.6V @ 1mA
Package d'appareil du fournisseur	LFPAK56, Power-SO8
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	78 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6297 pF @ 20 V