QS1200SCM36 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

QS1200SCM36

FET simples, MOSFET

Quest Semi

1200V 36AMP SiC Mosfet

Tube

977

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$11.6910

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Produits Détails

QS1200SCM36

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

QS1200SCM36

FET simples, MOSFET

Quest Semi

1200V 36AMP SiC

FET simples, MOSFET

Tube

977

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Quest Semi
Série	-
Emballer	Tube
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-247-3
Type de montage	Through Hole
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	36A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 20A, 20V
Dissipation de puissance (maximum)	198W
Vgs(e) (Max) @ Id	3.8V @ 100µA
Package d'appareil du fournisseur	PG-TO247-3
Grade	Automotive
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.8V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1001 pF @ 800 V