RN2427TE85LF Transistors bipolaires simples pré-polarisés

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

RN2427TE85LF

Transistors bipolaires simples pré-polarisés

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

Bande et bobine (TR)

7830

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Les stocks: 7830

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Produits Détails

RN2427TE85LF

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

RN2427TE85LF

Transistors bipolaires simples pré-polarisés

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

TRANS PREBIAS P

Transistors bipolaires simples pré-polarisés

Bande et bobine (TR)

7830

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montage	Surface Mount
Type de transistor	PNP - Pre-Biased
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	500nA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	90 @ 100mA, 1V
Package d'appareil du fournisseur	S-Mini
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	800 mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)	50 V
Puissance - Max	200 mW
Fréquence - Transition	200 MHz
Résistance - Base (R1)	2.2 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2)	10 kOhms