RN2901,LF(CT Réseaux de transistors bipolaires, pré-polarisés

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

RN2901,LF(CT

Réseaux de transistors bipolaires, pré-polarisés

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K

Bande et bobine (TR)

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$216.0000

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$243.0000

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75000

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$2,025.0000

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Produits Détails

RN2901,LF(CT

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

RN2901,LF(CT

Réseaux de transistors bipolaires, pré-polarisés

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

PNPX2 BRT Q1BSR

Réseaux de transistors bipolaires, pré-polarisés

Bande et bobine (TR)

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Type de montage	Surface Mount
Type de transistor	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Puissance - Max	200mW
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)	50V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	500nA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
Fréquence - Transition	200MHz
Résistance - Base (R1)	4.7kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2)	4.7kOhms
Package d'appareil du fournisseur	US6