RN4990(TE85L,F) Réseaux de transistors bipolaires, pré-polarisés

Numéro de pièces：

Classification des produits：

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Emballage：

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État de RoHS：

RN4990(TE85L,F)

Réseaux de transistors bipolaires, pré-polarisés

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

NPN + PNP BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BE

Bande et bobine (TR)

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$0.0540

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$1,350.0000

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Produits Détails

RN4990(TE85L,F)

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

RN4990(TE85L,F)

Réseaux de transistors bipolaires, pré-polarisés

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

NPN + PNP BRT Q

Réseaux de transistors bipolaires, pré-polarisés

Bande et bobine (TR)

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Type de montage	Surface Mount
Type de transistor	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Puissance - Max	200mW
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)	50V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Fréquence - Transition	250MHz, 200MHz
Résistance - Base (R1)	4.7kOhms
Package d'appareil du fournisseur	US6