SCT012H90G3AG FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

SCT012H90G3AG

FET simples, MOSFET

H2PAK-7

Bande et bobine (TR)

prix:

$27.0540

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

1000

$27.0540

$27,054.0000

Obtenir des informations sur les offres

Produits Détails

SCT012H90G3AG

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

SCT012H90G3AG

FET simples, MOSFET

H2PAK-7

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

Produits Paramètres

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	110A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	15.8mOhm @ 60A, 18V
Dissipation de puissance (maximum)	625W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	4.2V @ 10mA
Package d'appareil du fournisseur	H2PAK-7
Grade	Automotive
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Vgs (Max)	+18V, -5V
Tension drain-source (Vdss)	900 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	138 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3880 pF @ 600 V
Qualification	AEC-Q101