TC58CVG0S3HRAIG Mémoire

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TC58CVG0S3HRAIG

Mémoire

IC FLASH 1GBIT SPI 104MHZ 8WSON

Plateau

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Produits Détails

TC58CVG0S3HRAIG

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

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encapsulé：

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État de RoHS：

Spécifications Livre：

TC58CVG0S3HRAIG

Mémoire

IC FLASH 1GBIT

Mémoire

Plateau

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Série	-
Emballer	Plateau
État du produit	OBSOLETE
Colis/Caisse	8-WDFN Exposed Pad
Type de montage	Surface Mount
Taille mémoire	1Gbit
Type de mémoire	Non-Volatile
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Tension - Alimentation	2.7V ~ 3.6V
Technologie	FLASH - NAND (SLC)
Fréquence d'horloge	104 MHz
Format de mémoire	FLASH
Package d'appareil du fournisseur	8-WSON (6x8)
Interface mémoire	SPI
Temps d'accès	155 µs
Organisation de la mémoire	128M x 8
DigiKey programmable	Not Verified