TO252MDD4N65DS FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

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TO252MDD4N65DS

FET simples, MOSFET

MOSFET TO-252 N 650V 4A

Bande et bobine (TR)

12500

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Produits Détails

TO252MDD4N65DS

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

TO252MDD4N65DS

FET simples, MOSFET

MOSFET TO-252 N

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

12500

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	NextGen Components
Série	TO-252
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	2.8Ohm @ 2A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V