TP44400SG FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

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encapsulé：

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État de RoHS：

TP44400SG

FET simples, MOSFET

Tagore Technology

GAN FET HEMT 650V .36OHM 22QFN

Bande et bobine (TR)

2960

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Produits Détails

TP44400SG

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

TP44400SG

FET simples, MOSFET

Tagore Technology

GAN FET HEMT 65

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

2960

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Tagore Technology
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	22-PowerVFQFN
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6.5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 500mA, 6V
Vgs(e) (Max) @ Id	2.5V @ 2.8mA
Package d'appareil du fournisseur	22-QFN (5x7)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	0V, 6V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.75 nC @ 6 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	28 pF @ 400 V