TP65H050G4YS FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

TP65H050G4YS

FET simples, MOSFET

Transphorm

650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE

Tube

402

prix:

$8.9190

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Produits Détails

TP65H050G4YS

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

TP65H050G4YS

FET simples, MOSFET

Transphorm

650 V 35 A GAN

FET simples, MOSFET

Tube

402

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Transphorm
Série	SuperGaN®
Emballer	Tube
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-247-4
Type de montage	Through Hole
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	35A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 22A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	132W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	4.8V @ 700µA
Package d'appareil du fournisseur	TO-247-4L
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1000 pF @ 400 V