TP65H070G4QS-TR FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

TP65H070G4QS-TR

FET simples, MOSFET

Transphorm

650 V 29 A GAN FET

Bande et bobine (TR)

prix:

$7.7490

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

$7.7490

$6.6420

$66.4200

100

$5.5350

$553.5000

500

$4.8780

$2,439.0000

1000

$4.3920

$4,392.0000

2000

$4.1130

$8,226.0000

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Produits Détails

TP65H070G4QS-TR

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

TP65H070G4QS-TR

FET simples, MOSFET

Transphorm

650 V 29 A GAN

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Transphorm
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-PowerSFN
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	29A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	96W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	4.8V @ 700µA
Package d'appareil du fournisseur	TOLL
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.4 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	600 pF @ 400 V