TPD3215M Matrices FET, MOSFET

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TPD3215M

Matrices FET, MOSFET

GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE

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Produits Détails

TPD3215M

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

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encapsulé：

Emballage：

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État de RoHS：

Spécifications Livre：

TPD3215M

Matrices FET, MOSFET

GANFET 2N-CH 60

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Produits Paramètres

PDF(1)

PDF(2)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Transphorm
Série	-
Emballer	En gros
État du produit	OBSOLETE
Colis/Caisse	Module
Type de montage	Through Hole
Configuration	2 N-Channel (Half Bridge)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Puissance - Max	470W
Tension drain-source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	70A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2260pF @ 100V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	34mOhm @ 30A, 8V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 8V
Package d'appareil du fournisseur	Module