TPH3208LDG FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

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TPH3208LDG

FET simples, MOSFET

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

Tube

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Produits Détails

TPH3208LDG

Numéro de pièces：

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Spécifications Livre：

TPH3208LDG

FET simples, MOSFET

GANFET N-CH 650

FET simples, MOSFET

Tube

Spécifications Livre

Produits Paramètres

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TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Transphorm
Série	-
Emballer	Tube
État du produit	OBSOLETE
Colis/Caisse	3-PowerDFN
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	20A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 13A, 8V
Dissipation de puissance (maximum)	96W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	2.6V @ 300µA
Package d'appareil du fournisseur	3-PQFN (8x8)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±18V
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 8 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 400 V