W987D2HBJX7E TR Mémoire

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W987D2HBJX7E TR

Mémoire

IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA

Bande et bobine (TR)

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Produits Détails

W987D2HBJX7E TR

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

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encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

W987D2HBJX7E TR

Mémoire

IC DRAM 128MBIT

Mémoire

Bande et bobine (TR)

Produits Paramètres

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Winbond Electronics Corporation
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	OBSOLETE
Colis/Caisse	90-TFBGA
Type de montage	Surface Mount
Taille mémoire	128Mbit
Type de mémoire	Volatile
Température de fonctionnement	-25°C ~ 85°C (TC)
Tension - Alimentation	1.7V ~ 1.95V
Technologie	SDRAM - Mobile LPSDR
Fréquence d'horloge	133 MHz
Format de mémoire	DRAM
Package d'appareil du fournisseur	90-VFBGA (8x13)
Temps de cycle d'écriture - Word, Page	15ns
Interface mémoire	Parallel
Temps d'accès	5.4 ns
Organisation de la mémoire	4M x 32
DigiKey programmable	Not Verified