XP10NA011J FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

XP10NA011J

FET simples, MOSFET

YAGEO XSEMI

MOSFET N-CH 100V 48.5A TO251S

Tube

1000

prix:

$1.8810

Les stocks: 1000

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

$2.7630

$1.8810

$150.4800

560

$1.6740

$937.4400

1040

$1.4310

$1,488.2400

2000

$1.3500

$2,700.0000

5040

$1.2960

$6,531.8400

Obtenir des informations sur les offres

Produits Détails

XP10NA011J

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

XP10NA011J

FET simples, MOSFET

YAGEO XSEMI

MOSFET N-CH 100

FET simples, MOSFET

Tube

1000

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	XS10NA011
Emballer	Tube
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Type de montage	Through Hole
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	48.5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	1.13W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	TO-251S
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2288 pF @ 80 V