XP10TN135N FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

XP10TN135N

FET simples, MOSFET

YAGEO XSEMI

MOSFET N-CH 100V 2.1A 3A SOT23

Bande et bobine (TR)

785

prix:

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Les stocks: 785

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$0.4320

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$99.0000

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$0.1620

$162.0000

3000

$0.1440

$432.0000

6000

$0.1350

$810.0000

9000

$0.1260

$1,134.0000

30000

$0.1260

$3,780.0000

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Produits Détails

XP10TN135N

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

XP10TN135N

FET simples, MOSFET

YAGEO XSEMI

MOSFET N-CH 100

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

785

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	XP10TN135
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2.1A (Ta), 3A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	135mOhm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	1.38W (Ta)
Vgs(e) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	SOT-23
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	980 pF @ 25 V