XP3C023AMT Matrices FET, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

XP3C023AMT

Matrices FET, MOSFET

YAGEO XSEMI

MOSFET N AND P-CH 30V 12A 10A

Bande et bobine (TR)

1000

prix:

$0.7740

Les stocks: 1000

Le nombre total

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Le prix total

$1.7100

$1.4220

$14.2200

100

$1.1340

$113.4000

500

$0.9540

$477.0000

1000

$0.8100

$810.0000

3000

$0.7740

$2,322.0000

6000

$0.7380

$4,428.0000

9000

$0.7200

$6,480.0000

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Produits Détails

XP3C023AMT

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

XP3C023AMT

Matrices FET, MOSFET

YAGEO XSEMI

MOSFET N AND P-

Matrices FET, MOSFET

Bande et bobine (TR)

1000

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	XP3C023A
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-PowerLDFN
Type de montage	Surface Mount
Configuration	N and P-Channel
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max	3.57W (Ta)
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12A (Ta), 10A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2320pF @ 15V, 2480pF @ 15V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	10.4mOhm @ 10A, 10V, 23.5mOhm @ 7.5A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	19.2nC @ 4.5V, 21.6nC @ 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Package d'appareil du fournisseur	PMPAK® 5 x 6