XP3N1R0MT FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

XP3N1R0MT

FET simples, MOSFET

YAGEO XSEMI

FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK

Bande et bobine (TR)

1000

prix:

$3.6360

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$3.6360

$3.0510

$30.5100

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$246.6000

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3000

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Produits Détails

XP3N1R0MT

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

XP3N1R0MT

FET simples, MOSFET

YAGEO XSEMI

FET N-CH 30V 54

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

1000

Produits Paramètres

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	XP3N1R0
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-PowerLDFN
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	1.05mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	PMPAK® 5 x 6
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	120 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	12320 pF @ 15 V