XP3N9R5AYT FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

XP3N9R5AYT

FET simples, MOSFET

YAGEO XSEMI

MOSFET N-CH 30V 38.7A PMPAK

Bande et bobine (TR)

1000

prix:

$0.3330

Les stocks: 1000

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quantité

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Le prix total

$0.8190

$0.6660

$6.6600

100

$0.5220

$52.2000

500

$0.4410

$220.5000

1000

$0.3600

$360.0000

3000

$0.3330

$999.0000

6000

$0.3240

$1,944.0000

9000

$0.3060

$2,754.0000

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Produits Détails

XP3N9R5AYT

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

XP3N9R5AYT

FET simples, MOSFET

YAGEO XSEMI

MOSFET N-CH 30V

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

1000

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	XP3N9R5A
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-PowerDFN
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	15A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	3.57W (Ta)
Vgs(e) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	PMPAK® 3 x 3
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	28.8 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1280 pF @ 15 V