XP4P090N FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

XP4P090N

FET simples, MOSFET

YAGEO XSEMI

MOSFET P-CH 40V 3A SOT23

Bande et bobine (TR)

985

prix:

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Les stocks: 985

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$130.5000

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$207.0000

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$567.0000

6000

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$1,080.0000

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$1,458.0000

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Produits Détails

XP4P090N

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

XP4P090N

FET simples, MOSFET

YAGEO XSEMI

MOSFET P-CH 40V

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

985

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	XP4P090
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	P-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	1.25W (Ta)
Vgs(e) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	SOT-23
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.8 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	976 pF @ 20 V