XP65SL380DH FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

XP65SL380DH

FET simples, MOSFET

YAGEO XSEMI

MOSFET N-CH 650V 10A TO252

Bande et bobine (TR)

997

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Produits Détails

XP65SL380DH

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

XP65SL380DH

FET simples, MOSFET

YAGEO XSEMI

MOSFET N-CH 650

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

997

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	XP65SL380D
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	380mOhm @ 3.2A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	2W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	TO-252
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	52.8 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1860 pF @ 100 V