86-13826519287‬
  • image of シングルFET、MOSFET>BSC105N15LS5ATMA1
  • image of シングルFET、MOSFET>BSC105N15LS5ATMA1
部品ナンバー
製品カテゴリ
メーカー
タイプ
パッケージ
包装する
数量
RoHS状態
BSC105N15LS5ATMA1
シングルFET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
-
テープ&リール(TR)
3500
価格:
$1.9710
在庫: 3500
総数

数量

価格

総額

1

$1.9710

$1.9710

10

$1.7730

$17.7300

25

$1.6740

$41.8500

100

$1.4220

$142.2000

250

$1.3410

$335.2500

500

$1.1700

$585.0000

1000

$0.9720

$972.0000

2500

$0.9000

$2,250.0000

5000

$0.8730

$4,365.0000

10000

$0.8370

$8,370.0000

見積情報を取得する
製品の詳細
image of シングルFET、MOSFET>BSC105N15LS5ATMA1
BSC105N15LS5ATMA1
部品ナンバー
製品カテゴリ
メーカー
タイプ
パッケージ
包装する
数量
RoHS状態
仕様書
BSC105N15LS5ATMA1
シングルFET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
シングルFET、MOSFET
テープ&リール(TR)
3500 
1
製品パラメータ
PDF(1)
タイプ説明
製造元IR (Infineon Technologies)
シリーズOptiMOS™ 5
パッケージテープ&リール(TR)
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケース8-PowerTDFN
取付タイプSurface Mount
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
FETタイプN-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C10.7A (Ta), 76A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs10.5mOhm @ 40A, 10V
消費電力(最大)2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID2.3V @ 91µA
サプライヤーデバイスパッケージPG-TDSON-8
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)4.5V, 10V
Vgs (最大)±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)150 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs23 nC @ 4.5 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds3000 pF @ 75 V
captcha

オンラインサービス

サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
86-13826519287‬

オンラインサービス

サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
オンラインサポートを選択してください:
0