CGD65A130S2-T13 シングルFET、MOSFET

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CGD65A130S2-T13

シングルFET、MOSFET

Cambridge GaN Devices

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.

テープ＆リール（TR）

3352

価格:

$2.9880

在庫: 3352

総数

数量

価格

総額

$5.6250

$4.8240

$48.2400

100

$4.0140

$401.4000

500

$3.5460

$1,773.0000

1000

$3.1950

$3,195.0000

3500

$2.9880

$10,458.0000

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製品の詳細

CGD65A130S2-T13

部品ナンバー：

製品カテゴリ：

メーカー：

タイプ：

パッケージ：

包装する：

数量：

RoHS状態：

仕様書：

CGD65A130S2-T13

シングルFET、MOSFET

Cambridge GaN Devices

650V GAN HEMT,

シングルFET、MOSFET

テープ＆リール（TR）

3352

製品パラメータ

タイプ	説明
製造元	Cambridge GaN Devices
シリーズ	ICeGaN™
パッケージ	テープ＆リール（TR）
製品の状態	ACTIVE
パッケージ・ケース	16-PowerVDFN
取付タイプ	Surface Mount
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジー	GaNFET (Gallium Nitride)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	182mOhm @ 900mA, 12V
FETの特徴	Current Sensing
Vgs(th) (最大) @ ID	4.2V @ 4.2mA
サプライヤーデバイスパッケージ	16-DFN (8x8)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	12V
Vgs (最大)	+20V, -1V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	650 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	2.3 nC @ 12 V