CGD65B200S2-T13 シングルFET、MOSFET

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CGD65B200S2-T13

シングルFET、MOSFET

Cambridge GaN Devices

650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.

テープ＆リール（TR）

4355

価格:

$4.0950

在庫: 4355

総数

数量

価格

総額

$4.0950

$3.4380

$34.3800

100

$2.7810

$278.1000

500

$2.4750

$1,237.5000

1000

$2.1150

$2,115.0000

2000

$1.9890

$3,978.0000

5000

$1.9170

$9,585.0000

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製品の詳細

CGD65B200S2-T13

部品ナンバー：

製品カテゴリ：

メーカー：

タイプ：

パッケージ：

包装する：

数量：

RoHS状態：

仕様書：

CGD65B200S2-T13

シングルFET、MOSFET

Cambridge GaN Devices

650V GAN HEMT,

シングルFET、MOSFET

テープ＆リール（TR）

4355

仕様書

製品パラメータ

PDF(1)

タイプ	説明
製造元	Cambridge GaN Devices
シリーズ	ICeGaN™
パッケージ	テープ＆リール（TR）
製品の状態	ACTIVE
パッケージ・ケース	8-PowerVDFN
取付タイプ	Surface Mount
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジー	GaNFET (Gallium Nitride)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	8.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	280mOhm @ 600mA, 12V
FETの特徴	Current Sensing
Vgs(th) (最大) @ ID	4.2V @ 2.75mA
サプライヤーデバイスパッケージ	8-DFN (5x6)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	9V, 20V
Vgs (最大)	+20V, -1V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	650 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	1.4 nC @ 12 V