86-13826519287‬
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FBG20N18BSH
シングルFET、MOSFET
EPC Space
GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B
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バルク
51
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$353.4750
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FBG20N18BSH
部品ナンバー
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仕様書
FBG20N18BSH
シングルFET、MOSFET
EPC Space
GAN FET HEMT 20
シングルFET、MOSFET
バルク
51 
-
製品パラメータ
PDF(1)
タイプ説明
製造元EPC Space
シリーズe-GaN®
パッケージバルク
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケース4-SMD, No Lead
取付タイプSurface Mount
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
FETタイプN-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C18A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID2.5V @ 3mA
サプライヤーデバイスパッケージ4-SMD
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)5V
Vgs (最大)+6V, -4V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)200 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs7 nC @ 5 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds900 pF @ 100 V
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サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
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