G01N20LE シングルFET、MOSFET

部品ナンバー：

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RoHS状態：

G01N20LE

シングルFET、MOSFET

Goford Semiconductor

N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9

テープ＆リール（TR）

826

価格:

$0.3690

在庫: 826

総数

数量

価格

総額

$0.3690

$0.2880

$2.8800

100

$0.1710

$17.1000

500

$0.1620

$81.0000

1000

$0.1080

$108.0000

3000

$0.0990

$297.0000

6000

$0.0990

$594.0000

9000

$0.0900

$810.0000

30000

$0.0810

$2,430.0000

75000

$0.0810

$6,075.0000

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製品の詳細

G01N20LE

部品ナンバー：

製品カテゴリ：

メーカー：

タイプ：

パッケージ：

包装する：

数量：

RoHS状態：

仕様書：

G01N20LE

シングルFET、MOSFET

Goford Semiconductor

N200V,RD(MAX)<8

シングルFET、MOSFET

テープ＆リール（TR）

826

仕様書

製品パラメータ

PDF(1)

タイプ	説明
製造元	Goford Semiconductor
シリーズ	TrenchFET®
パッケージ	テープ＆リール（TR）
製品の状態	ACTIVE
パッケージ・ケース	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
取付タイプ	Surface Mount
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
FETタイプ	N-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	1.7A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	700mOhm @ 1A, 10V
消費電力(最大)	1.5W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ	SOT-23-3
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Vgs (最大)	±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	200 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	12 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	580 pF @ 25 V