86-13826519287‬
  • image of FET、MOSFETアレイ>G220P03D32
  • image of FET、MOSFETアレイ>G220P03D32
部品ナンバー
製品カテゴリ
メーカー
タイプ
パッケージ
包装する
数量
RoHS状態
G220P03D32
FET、MOSFETアレイ
Goford Semiconductor
MOSFET P+P-CH 30V12A 30W DFN3*3-
-
テープ&リール(TR)
4960
価格:
$0.1710
在庫: 4960
総数

数量

価格

総額

1

$0.5310

$0.5310

10

$0.4590

$4.5900

100

$0.3150

$31.5000

500

$0.2430

$121.5000

1000

$0.1980

$198.0000

2000

$0.1800

$360.0000

5000

$0.1710

$855.0000

10000

$0.1620

$1,620.0000

25000

$0.1530

$3,825.0000

50000

$0.1530

$7,650.0000

見積情報を取得する
製品の詳細
image of FET、MOSFETアレイ>G220P03D32
G220P03D32
部品ナンバー
製品カテゴリ
メーカー
タイプ
パッケージ
包装する
数量
RoHS状態
仕様書
G220P03D32
FET、MOSFETアレイ
Goford Semiconductor
MOSFET P+P-CH 3
FET、MOSFETアレイ
テープ&リール(TR)
4960 
1
製品パラメータ
PDF(1)
タイプ説明
製造元Goford Semiconductor
シリーズ-
パッケージテープ&リール(TR)
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケース8-PowerVDFN
取付タイプSurface Mount
構成2 P-Channel
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
パワー - 最大30W (Tc)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C12A (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds1305pF @ 15V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs22mOhm @ 3A, 10V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs25nC @ 10V
Vgs(th) (最大) @ ID2V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ8-DFN (3.15x3.05) Dual
captcha

オンラインサービス

サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
86-13826519287‬

オンラインサービス

サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
オンラインサポートを選択してください:
0