86-13826519287‬
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メーカー
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パッケージ
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RoHS状態
IGN1011L70
RF FET、MOSFET
Integra Technologies
RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
-
バルク
11
価格:
$191.0340
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製品の詳細
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IGN1011L70
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仕様書
IGN1011L70
RF FET、MOSFET
Integra Technologies
RF MOSFET GAN H
RF FET、MOSFET
バルク
11 
1
製品パラメータ
PDF(1)
タイプ説明
製造元Integra Technologies
シリーズ-
パッケージバルク
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケースPL32A2
取付タイプChassis Mount
頻度1.03GHz ~ 1.09GHz
電力出力80W
22dB
テクノロジーGaN HEMT
サプライヤーデバイスパッケージPL32A2
電圧 - 定格120 V
電圧 - テスト50 V
電流 - テスト22 mA
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サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
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