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IPP076N15N5XKSA1
シングルFET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
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製品の詳細
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IPP076N15N5XKSA1
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仕様書
IPP076N15N5XKSA1
シングルFET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
シングルFET、MOSFET
チューブ
1
製品パラメータ
タイプ説明
製造元IR (Infineon Technologies)
シリーズ-
パッケージチューブ
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケースTO-220-3
取付タイプThrough Hole
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
FETタイプN-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C112A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs7.6mOhm @ 56A, 10V
消費電力(最大)214W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID4.6V @ 160µA
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO220-3-1
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)8V, 10V
Vgs (最大)±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)150 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs61 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds4700 pF @ 75 V
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サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
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