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IRFBF30S
シングルFET、MOSFET
Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
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製品の詳細
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IRFBF30S
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仕様書
IRFBF30S
シングルFET、MOSFET
Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 900
シングルFET、MOSFET
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-
製品パラメータ
PDF(1)
タイプ説明
製造元Vishay / Siliconix
シリーズ-
パッケージチューブ
製品の状態OBSOLETE
パッケージ・ケースTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
取付タイプSurface Mount
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
FETタイプN-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C3.6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs3.7Ohm @ 2.2A, 10V
消費電力(最大)125W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID4V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージTO-263 (D2PAK)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Vgs (最大)±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)900 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs78 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds1200 pF @ 25 V
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