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IRFP4229PBFXKMA1
シングルFET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
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製品の詳細
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IRFP4229PBFXKMA1
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仕様書
IRFP4229PBFXKMA1
シングルFET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
シングルFET、MOSFET
チューブ
1
製品パラメータ
タイプ説明
製造元IR (Infineon Technologies)
シリーズ-
パッケージチューブ
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケースTO-247-3
取付タイプThrough Hole
動作温度-40°C ~ 175°C (TJ)
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
FETタイプN-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C44A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs46mOhm @ 26A, 10V
消費電力(最大)310W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID5V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージTO-247AC
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Vgs (最大)±30V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)250 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs110 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds4560 pF @ 25 V
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サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
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