86-13826519287‬
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部品ナンバー
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メーカー
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RoHS状態
MSRT100120D
ダイオードアレイ
GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
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バルク
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$67.6350
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製品の詳細
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MSRT100120D
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仕様書
MSRT100120D
ダイオードアレイ
GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE GP
ダイオードアレイ
バルク
1
製品パラメータ
PDF(1)
タイプ説明
製造元GeneSiC Semiconductor
シリーズ-
パッケージバルク
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケースThree Tower
取付タイプChassis Mount
スピードStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
テクノロジーStandard
ダイオード構成1 Pair Series Connection
電流 - 平均整流 (Io) (ダイオードあたり)100A
サプライヤーデバイスパッケージThree Tower
動作温度 - ジャンクション-55°C ~ 150°C
電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大)1200 V
電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If1.1 V @ 100 A
電流 - 逆漏れ電流 @ Vr10 µA @ 1200 V
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サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
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