86-13826519287‬
  • image of FET、MOSFETアレイ>NXH003P120M3F2PTNG
  • image of FET、MOSFETアレイ>NXH003P120M3F2PTNG
  • image of FET、MOSFETアレイ>NXH003P120M3F2PTNG
部品ナンバー
製品カテゴリ
メーカー
タイプ
パッケージ
包装する
数量
RoHS状態
NXH003P120M3F2PTNG
FET、MOSFETアレイ
Sanyo Semiconductor/onsemi
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
-
トレイ
20
価格:
$218.0880
在庫: 20
総数

数量

価格

総額

1

$232.8480

$232.8480

20

$218.0880

$4,361.7600

40

$209.8890

$8,395.5600

見積情報を取得する
製品の詳細
image of FET、MOSFETアレイ>NXH003P120M3F2PTNG
image of FET、MOSFETアレイ>NXH003P120M3F2PTNG
NXH003P120M3F2PTNG
部品ナンバー
製品カテゴリ
メーカー
タイプ
パッケージ
包装する
数量
RoHS状態
仕様書
NXH003P120M3F2PTNG
FET、MOSFETアレイ
Sanyo Semiconductor/onsemi
SILICON CARBIDE
FET、MOSFETアレイ
トレイ
20 
1
製品パラメータ
PDF(1)
タイプ説明
製造元Sanyo Semiconductor/onsemi
シリーズ-
パッケージトレイ
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケースModule
取付タイプChassis Mount
構成2 N-Channel (Half Bridge)
動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーSilicon Carbide (SiC)
パワー - 最大1.48kW (Tj)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C435A (Tj)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds20889pF @ 800V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs5mOhm @ 200A, 18V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs1200nC @ 20V
Vgs(th) (最大) @ ID4.4V @ 160mA
サプライヤーデバイスパッケージ36-PIM (56.7x62.8)
captcha

オンラインサービス

サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
86-13826519287‬

オンラインサービス

サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
オンラインサポートを選択してください:
0