86-13826519287‬
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数量
RoHS状態
NXH004P120M3F2PTNG
FET、MOSFETアレイ
Sanyo Semiconductor/onsemi
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
-
トレイ
0
価格:
$181.6560
総数

数量

価格

総額

1

$193.9410

$193.9410

20

$181.6560

$3,633.1200

40

$174.8250

$6,993.0000

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製品の詳細
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NXH004P120M3F2PTNG
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仕様書
NXH004P120M3F2PTNG
FET、MOSFETアレイ
Sanyo Semiconductor/onsemi
SILICON CARBIDE
FET、MOSFETアレイ
トレイ
1
製品パラメータ
PDF(1)
タイプ説明
製造元Sanyo Semiconductor/onsemi
シリーズ-
パッケージトレイ
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケースModule
取付タイプChassis Mount
構成2 N-Channel (Half Bridge)
動作温度-40°C ~ 175°C (TJ)
テクノロジーSilicon Carbide (SiC)
パワー - 最大1.1kW (Tj)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C338A (Tj)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds16410pF @ 800V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs5.5mOhm @ 200A, 18V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs876nC @ 20V
Vgs(th) (最大) @ ID4.4V @ 120mA
サプライヤーデバイスパッケージ36-PIM (56.7x62.8)
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オンラインサービス

サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
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