86-13826519287‬
  • image of シングルFET、MOSFET>SIRA54ADP-T1-RE3
  • image of シングルFET、MOSFET>SIRA54ADP-T1-RE3
部品ナンバー
製品カテゴリ
メーカー
タイプ
パッケージ
包装する
数量
RoHS状態
SIRA54ADP-T1-RE3
シングルFET、MOSFET
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
-
テープ&リール(TR)
6000
価格:
$0.7560
在庫: 6000
総数

数量

価格

総額

1

$1.6740

$1.6740

10

$1.3860

$13.8600

100

$1.1070

$110.7000

500

$0.9360

$468.0000

1000

$0.7920

$792.0000

3000

$0.7560

$2,268.0000

6000

$0.7290

$4,374.0000

9000

$0.7020

$6,318.0000

見積情報を取得する
製品の詳細
image of シングルFET、MOSFET>SIRA54ADP-T1-RE3
SIRA54ADP-T1-RE3
部品ナンバー
製品カテゴリ
メーカー
タイプ
パッケージ
包装する
数量
RoHS状態
仕様書
SIRA54ADP-T1-RE3
シングルFET、MOSFET
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 40 V
シングルFET、MOSFET
テープ&リール(TR)
6000 
-
製品パラメータ
PDF(1)
タイプ説明
製造元Vishay / Siliconix
シリーズTrenchFET®
パッケージテープ&リール(TR)
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケースPowerPAK® SO-8
取付タイプSurface Mount
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
FETタイプN-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C36.2A (Ta), 128A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs2.2mOhm @ 15A, 10V
消費電力(最大)5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID2.5V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® SO-8
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)4.5V, 10V
Vgs (最大)+20V, -16V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)40 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs70 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds3850 pF @ 20 V
captcha

オンラインサービス

サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
86-13826519287‬

オンラインサービス

サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
オンラインサポートを選択してください:
0