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RoHS状態
TP65H050G4YS
シングルFET、MOSFET
Transphorm
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
-
チューブ
402
価格:
$8.9190
在庫: 402
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価格

総額

1

$12.9240

$12.9240

10

$11.3850

$113.8500

450

$8.9190

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製品の詳細
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TP65H050G4YS
部品ナンバー
製品カテゴリ
メーカー
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パッケージ
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RoHS状態
仕様書
TP65H050G4YS
シングルFET、MOSFET
Transphorm
650 V 35 A GAN
シングルFET、MOSFET
チューブ
402 
1
製品パラメータ
PDF(1)
タイプ説明
製造元Transphorm
シリーズSuperGaN®
パッケージチューブ
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケースTO-247-4
取付タイプThrough Hole
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
FETタイプN-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C35A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs60mOhm @ 22A, 10V
消費電力(最大)132W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID4.8V @ 700µA
サプライヤーデバイスパッケージTO-247-4L
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Vgs (最大)±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)650 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs24 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds1000 pF @ 400 V
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サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
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