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TP65H150G4LSG
シングルFET、MOSFET
Transphorm
GAN FET N-CH 650V PQFN
-
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2834
価格:
$4.5540
在庫: 2834
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総額

1

$4.5540

$4.5540

10

$4.0860

$40.8600

100

$3.3480

$334.8000

500

$2.8530

$1,426.5000

1000

$2.4030

$2,403.0000

3000

$2.1150

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製品の詳細
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TP65H150G4LSG
部品ナンバー
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パッケージ
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RoHS状態
仕様書
TP65H150G4LSG
シングルFET、MOSFET
Transphorm
GAN FET N-CH 65
シングルFET、MOSFET
トレイ
2834 
-
製品パラメータ
タイプ説明
製造元Transphorm
シリーズ-
パッケージトレイ
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケース3-PowerTDFN
取付タイプSurface Mount
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
FETタイプN-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C13A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs180mOhm @ 8.5A, 10V
消費電力(最大)52W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID4.8V @ 500µA
サプライヤーデバイスパッケージ3-PQFN (8x8)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Vgs (最大)±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)650 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs8 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds598 pF @ 400 V
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サービス時間:月曜日から土曜日の9時-18時
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