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TPH3206LDG-TR
シングルFET、MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
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製品の詳細
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TPH3206LDG-TR
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仕様書
TPH3206LDG-TR
シングルFET、MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 600
シングルFET、MOSFET
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-
製品パラメータ
PDF(1)
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タイプ説明
製造元Transphorm
シリーズ-
パッケージトレイ
製品の状態OBSOLETE
パッケージ・ケース3-PowerDFN
取付タイプSurface Mount
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
FETタイプN-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C17A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs180mOhm @ 11A, 8V
消費電力(最大)96W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID2.6V @ 500µA
サプライヤーデバイスパッケージ3-PQFN (8x8)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)8V
Vgs (最大)±18V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)600 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs9.3 nC @ 4.5 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds760 pF @ 480 V
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