Количество
Цены
Общая цена
ТИП | ОПИСАНИЕ |
Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ряд | - |
Упаковка | Масса |
Статус продукта | OBSOLETE |
Пакет/кейс | TO-220-3 |
Тип монтажа | Through Hole |
Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 6A (Ta) |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 3A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 80W (Tc) |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 1mA |
Пакет устройств поставщика | TO-220AB |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
ВГС (Макс) | ±30V |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 600 V |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1300 pF @ 10 V |