DTC123EE3TL Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

DTC123EE3TL

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

ROHM Semiconductor

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3

Лента и катушка (TR)

2980

Цены:

$0.0540

Запасы: 2980

Общее число

Количество

Цены

Общая цена

$0.3240

$0.2250

$2.2500

100

$0.1170

$11.7000

500

$0.0900

$45.0000

1000

$0.0720

$72.0000

3000

$0.0540

$162.0000

6000

$0.0540

$324.0000

9000

$0.0450

$405.0000

30000

$0.0450

$1,350.0000

75000

$0.0360

$2,700.0000

150000

$0.0360

$5,400.0000

Получить информацию о предложении

Продукты Подробнее

DTC123EE3TL

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

Спецификация книги：

DTC123EE3TL

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

ROHM Semiconductor

TRANS PREBIAS P

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Лента и катушка (TR)

2980

Спецификация книги

Продукты параметры

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	ROHM Semiconductor
Ряд	DTA123E
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	SC-75, SOT-416
Тип монтажа	Surface Mount
Тип транзистора	PNP - Pre-Biased
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)	500nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	68 @ 5mA, 5V
Пакет устройств поставщика	EMT3
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	100 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	50 V
Мощность - Макс.	150 mW
Частота – переход	250 MHz
Резистор — база (R1)	22 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)	47 kOhms