FBG30N04CC Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

FBG30N04CC

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C

Масса

Цены:

$286.2450

Общее число

Количество

Цены

Общая цена

$286.2450

$268.1010

$2,681.0100

Получить информацию о предложении

Продукты Подробнее

FBG30N04CC

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

Спецификация книги：

FBG30N04CC

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

GAN FET HEMT 30

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Масса

Продукты параметры

PDF(1)

PDF(2)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	EPC Space
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	4-SMD, No Lead
Тип монтажа	Surface Mount
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	4A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	404mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id	2.8V @ 600µA
Пакет устройств поставщика	4-SMD
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	5V
ВГС (Макс)	+6V, -4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	300 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	2.6 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	450 pF @ 150 V