G220P03D32 Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

G220P03D32

Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов

Goford Semiconductor

MOSFET P+P-CH 30V12A 30W DFN3*3-

Лента и катушка (TR)

4960

Цены:

$0.1710

Запасы: 4960

Общее число

Количество

Цены

Общая цена

$0.5310

$0.4590

$4.5900

100

$0.3150

$31.5000

500

$0.2430

$121.5000

1000

$0.1980

$198.0000

2000

$0.1800

$360.0000

5000

$0.1710

$855.0000

10000

$0.1620

$1,620.0000

25000

$0.1530

$3,825.0000

50000

$0.1530

$7,650.0000

Получить информацию о предложении

Продукты Подробнее

G220P03D32

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

Спецификация книги：

G220P03D32

Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов

Goford Semiconductor

MOSFET P+P-CH 3

Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов

Лента и катушка (TR)

4960

Продукты параметры

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Goford Semiconductor
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	8-PowerVDFN
Тип монтажа	Surface Mount
Конфигурация	2 P-Channel
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.	30W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	30V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	12A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1305pF @ 15V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	22mOhm @ 3A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	25nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Пакет устройств поставщика	8-DFN (3.15x3.05) Dual